单相全桥逆变电路及有关信号波形如图
3-20所示,
VT1、
VT4组成一对桥臂,
VT2、
VT3组成另一对桥臂,
VD1~
VD4为续流二极管,
VT1、
VT2基极加有一对相反的控制脉冲,
VT3、
VT4基极的控制脉冲相位也相反,
VT3基极的控制脉冲相位落后
VT1θ角
(0°
<θ
< 180°
)。

图
3-20 单相全桥逆变电路及有关信号波形
电路工作过程如下。
在
0~
t1期间,
VT1、
VT4的基极控制脉冲都为高电平,
VT1、
VT4都导通,
A点通过
VT1与
Ud正端连接,
B点通过
VT4与
Ud负端连接,故
R、
L两端的电压
Uo大小与
Ud相等,极性为左正右负(为正压),流过
R、
L电流的方向是:
Ud+→
VT1→
R、
L→
VT4→
Ud-。
在
t1~
t2期间,
VT1的
Ub1为高电平,
VT4的
Ub4为低电平,
VT1导通,
VT4关断,流过
L的电流突然变小,
L马上产生左负右正的电动势,该电动势通过
VD3形成电流回路,电流途径是:
L右正→
VD3→
VT1→
R→
L左负,该电流方向仍是由左往右。由于
VT1、
VD3都导通,
A点和
B点都与
Ud正端连接,即
UA= UB,
R、
L两端的电压
Uo为
0(
Uo=UA-UB)。在此期间,
VT3的
Ub3也为高电平,但因
VD3的导通使
VT3的
c、
e极电压相等,
VT3无法导通。
在
t2~
t3期间,
VT2、
VT3的基极控制脉冲都为高电平,在此期间开始一段时间内,
L还未能完全释放能量,还有左负右正电动势,但
VT1因基极变为低电平而截止,
L的电动势转而经
VD3、
VD2对直流侧电容
C充电,充电电流途径是:
L右正→
VD3→
C→
VD2→
R→
L左负,
VD3、
VD2的导通使
VT2、
VT3不能导通,
A点通过
VD2与
Ud负端连接,
B点通过
VD3与
Ud正端连接,故
R、
L两端的电压
Uo大小与
Ud相等,极性为左负右正(为负压),当
L上的电动势下降到与
Ud相等时,无法继续对
C充电,
VD3、
VD2截止,
VT2、
VT3马上导通,有电流流过
R、
L,电流的方向是:
Ud+→
VT3→
L、
R→
VT2→
Ud-。
在
t3~
t4期间,
VT2的
Ub2为高电平,
VT3的
Ub3为低电平,
VT2导通,
VT3关断,流过
L的电流突然变小,
L马上产生左正右负的电动势,该电动势通过
VD4形成电流回路,电流途径是:
L左正→
R→
VT2→
VD4→
L右负,该电流方向是由右往左。由于
VT2、
VD4都导通,
A点和
B点都与
Ud负端连接,即
UA=UB,
R、
L两端的电压
Uo为
0(
Uo= UA-UB)。在此期间,
VT4的
Ub4也为高电平,但因
VD4的导通使
VT4的
c、
e极电压相等,
VT4无法导通。
t4时刻以后,电路重复上述工作过程。
单相全桥逆变电路的
Ub1、
Ub3脉冲和
Ub2、
Ub4脉冲之间的相位差为θ,改变θ值,就能调节负载
R、
L两端电压
Uo脉冲宽度(正、负宽度同时变化)。另外,单相全桥逆变电路负载两端的电压幅度是单相半桥逆变电路的
2倍。
单相桥式PWM逆变电路结合IGBT单相桥式电压型逆变电路对调制法进行说明工作时V1和V2通断互补,V3和V4通断也互补。以uo正半周为例,V1通,V2断,V3和V4交替通断。负载电流比电压滞后,在电压正半周,电流有一段区间为正,一段区间为负。负载电流为正的区间,V1和V4导通时,uo等于Ud。V4关断时,负载电流通过V1和VD3续流,uo=0负载电流为负的区间,V1和V4仍导通,io为负,实际上io从VD1和VD4流过,仍有uo=Ud。V4关断V3开通后,io从V3
单相桥式PWM逆变电路
结合IGBT单相桥式电压型逆变电路对调制法进行说明
工作时V1和V2通断互补,V3和V4通断也互补。
以uo正半周为例,V1通,V2断,V3和V4交替通断。
负载电流比电压滞后,在电压正半周,电流有一段区间为正,一段区间为负。
负载电流为正的区间,V1和V4导通时,uo等于Ud 。
V4关断时,负载电流通过V1和VD3续流,uo=0
负载电流为负的区间, V1和V4仍导通,io为负,实际上io从VD1和VD4流过,仍有uo=Ud 。
V4关断V3开通后,io从V3和VD1续流,uo=0。
uo总可得到Ud和零两种电平。
uo负半周,让V2保持通,V1保持断,V3和V4交替通断,uo可得-Ud和零两种电平。
参考:http://www.aitmy.com/news/201512/11/news_106737.html
http://www.aitmy.com/news/201512/11/news_106736.html