原文:Sansen——chapter1

一 model of MOST transistor 沟道长度减小 速度提高 CMOS器件能够在更高的频率上获得增益 模拟电路制程小于数字电路 MOST尺寸是W L,决定了掩模上器件尺寸 沟道形成过程 Vgs 形成反型层,沟道形成 Vds 形成D S之间的电流 改变栅压,能够改变沟道的导通能力,从而改变IDS的大小。 同样改变衬底的电压,也能改变沟道的导通能力,从而改变IDS的大小。 Cox和CD ...

2022-03-19 21:41 0 753 推荐指数:

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Chapter 2 :重构的原则

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Linux_Chapter2_Exercise 1. 填空题 1, 在Linux系统中命令 区分 大小写, 在命令行中, 可以使用 Tab 键来自动补齐命令 2, 如果要在一个命令行上输入和执行多条命令, 可以使用 ; 来分割命令 3, 断开一个长命令, 可以使用 </u> ...

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