编辑-Z MB10S参数描述 型号:MB10S 封装:MBS-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.0V 芯片尺寸:50MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电 ...
编辑 Z ASEMI整流桥MB S参数: 型号:MB S 最大重复峰值反向电压 VRRM : V 最大有效值电压 VRMS : V 最大直流阻断电压 VDC : V 最大平均正向输出整流电流 IF AV : A 峰值正向浪涌电流 IFSM : A 每个元件的典型热阻 ReJA : W 每个元件的典型结电容 Cj : pF 工作结和存储温度范围 TJ, TSTG : to 最大瞬时正向压降 VF : ...
2022-01-20 16:14 0 725 推荐指数:
编辑-Z MB10S参数描述 型号:MB10S 封装:MBS-4 (SOP-4) 特性:小方桥、贴片桥堆 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.0V 芯片尺寸:50MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电 ...
编辑-Z MB10S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款薄贴片整流桥。MB10S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB10S的电性参数是:正向电流(Io ...
编辑-Z MB10F是在MB10S系列基础上根据用户需求开发生产的新型号。从参数功能上看,MB10F就像是瘦身成功的MB10S,那么哪个比较好? ASEMI整流桥MB10S和MB10F详细对比: 整流桥MB10S和MB10F的电气参数相同:正向电流(Io)为1A,反向电压为1000V ...
编辑-Z ASEMI整流桥MB6S参数: 型号:MB6S 最大重复峰值反向电压(VRRM):600V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):420V 最大直流阻断电压(VDC):600V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 每个元件 ...
编辑-Z MB6S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥、贴片桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是:正向电流(Io)为1A ...
编辑-Z MB6S在MBS-4 (SOP-4)封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方桥、贴片整流桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB6S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB6S的电性参数是:正向 ...
编辑-Z ASEMI整流桥MB10F参数: 型号:MB10F 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000F 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向输出整流电流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):35A 最大瞬时 ...
编辑-Z ASEMI整流桥ABS10参数: 型号:ABS10 最大循环峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流电流(I(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 最大瞬时正向电压 ...