编辑-Z 场效应管AO3401参数: 型号:AO3401 漏源电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):±12V 连续漏极电流(I):4.2A 脉冲漏极电流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源击穿电压 ...
编辑 Z MOS管AO 大家都非常熟悉了,今天用一个简单的电路举例说明一下MOS管 AO 在电路中的运用,以及 AO 为何要选ASEMI的。 AO 参数描述 型号:AO 封装:SOT 特性:低功耗场效应管 电性参数: . A V 持续漏极电流 ID : . A 脉冲漏极电流 IDM : A 漏源电压 VDS : V 栅源电压 VGS : V 栅极阈值电压 VGS : . V 零栅极电压漏极电流 I ...
2021-12-31 16:16 0 740 推荐指数:
编辑-Z 场效应管AO3401参数: 型号:AO3401 漏源电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):±12V 连续漏极电流(I):4.2A 脉冲漏极电流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源击穿电压 ...
编辑-Z AO3401在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。AO3401的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3401的栅源电压(VGS)为±12V。AO3401的电性参数是:持续漏极电流(ID ...
编辑-Z ASEMI的AO3401是属于场效应管,属于电压控半导体器件,AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点,AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。 AO3401参数描述 型号:AO3401 封装:SOT-23 特性 ...
用AO3401来做了一个控制USB Vbus(5V)开关的小电路,小巧好用。 电路解析 PW_1为gpio控制口,正常情况下设为高电平输出状态,此时三极管Q1 S9014导通,Q2 mos管的栅极(G)相当于接地,栅极(G)和源极(S)间有负压-5V,mos管导通,漏极(D)有5V输出 ...
编辑-Z AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是:持续漏极电流(ID ...
编辑-Z AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON),适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线。 AO3400概述 30V N沟道MOSFET Vds 30V Id ...
http://www.cnblogs.com/onepixel/p/5090799.html ...
编辑:ll AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400 型号:AO3400 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 电性参数5.8A 30V 正向电流:5.8A 反向耐压:30V 恢复时间: 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性:场效应管 ...