原文:ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线

编辑 Z AO 结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS ON ,适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO 概述,AO 参数,AO 特性曲线。 AO 概述 V N沟道MOSFET Vds V Id Vgs v情况下 . A Rds ON Vgs v情况下 lt m Rds ON Vgs . v情况下 lt m Rds ON Vgs . v情况下 lt ...

2021-12-23 16:43 0 1032 推荐指数:

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AO3400-ASEMI高效mos管AO3400

编辑-Z AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是:持续漏极电流(ID ...

Thu Dec 09 00:38:00 CST 2021 0 124
AO3400-ASEMI低功耗长效应AO3400

编辑:ll AO3400-ASEMI低功耗长效应AO3400 型号:AO3400 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 电性参数5.8A 30V 正向电流:5.8A 反向耐压:30V 恢复时间: 引脚数量:3 芯片个数:1 芯片尺寸: 封装尺寸:如图 特性场效应管 ...

Fri Dec 10 19:13:00 CST 2021 0 894
ASEMI场效应管AO3401参数AO3401规格,AO3401特征

编辑-Z 场效应管AO3401参数: 型号:AO3401 漏源电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):±12V 连续漏极电流(I):4.2A 脉冲漏极电流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源击穿电压 ...

Sun Feb 27 00:15:00 CST 2022 0 1890
AO3401-ASEMI场效应管AO3401

编辑-Z AO3401在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管AO3401的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3401的栅源电压(VGS)为±12V。AO3401的电性参数是:持续漏极电流(ID ...

Fri Dec 24 00:44:00 CST 2021 0 985
ASEMIAO3401是场效应管吗,AO3401和三极管有什么区别?

编辑-Z ASEMIAO3401是属于场效应管,属于电压控半导体器件,AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点,AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。 AO3401参数描述 型号:AO3401 封装:SOT-23 特性 ...

Fri Dec 10 00:56:00 CST 2021 0 1148
绝缘栅型场效应管的结构、特性参数

绝缘栅型场效应管的结构、特性参数 本文介绍的定义 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 二、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 三、N沟道耗尽型MOS场效应管结构和特性曲线 本文介绍 ...

Sat Jan 29 05:52:00 CST 2022 0 1038
结型场效应管的结构、特性参数

结型场效应管的结构、特性参数 本文介绍的定义 一、N沟道结型场效应管结构 二、N沟道结型场效应管特性曲线 本文介绍的定义 场效应管、结型场效应管、N沟道结型场效应管的结构、耗尽层 ...

Sat Jan 29 05:52:00 CST 2022 0 1185
MOS管25N120参数ASEMI场效应管25N120应用

编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...

Sun Dec 19 00:26:00 CST 2021 0 953
 
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