编辑-Z 场效应管AO3401参数: 型号:AO3401 漏源电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):±12V 连续漏极电流(I):4.2A 脉冲漏极电流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源击穿电压 ...
编辑 Z ASEMI的AO 是属于场效应管,属于电压控半导体器件,AO 具有高输入电阻 低噪声 低功耗 无二次击穿现象 安全工作区宽 温度和辐射影响小等优点,AO 特别适用于高灵敏度和低噪声电路。 AO 参数描述 型号:AO 封装:SOT 特性:低功耗场效应管 电性参数: . A V 持续漏极电流 ID : . A 脉冲漏极电流 IDM : A 漏源电压 VDS : V 栅源电压 VGS : V ...
2021-12-09 16:56 0 1148 推荐指数:
编辑-Z 场效应管AO3401参数: 型号:AO3401 漏源电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):±12V 连续漏极电流(I):4.2A 脉冲漏极电流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源击穿电压 ...
编辑-Z AO3401在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。AO3401的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3401的栅源电压(VGS)为±12V。AO3401的电性参数是:持续漏极电流(ID ...
编辑-Z MOS管AO3401大家都非常熟悉了,今天用一个简单的电路举例说明一下MOS管【AO3401】在电路中的运用,以及【AO3401】为何要选ASEMI的。 【AO3401】参数描述 型号:AO3401 封装:SOT-23 特性:低功耗场效应管 电性参数:4.2A 30V ...
用AO3401来做了一个控制USB Vbus(5V)开关的小电路,小巧好用。 电路解析 PW_1为gpio控制口,正常情况下设为高电平输出状态,此时三极管Q1 S9014导通,Q2 mos管的栅极(G)相当于接地,栅极(G)和源极(S)间有负压-5V,mos管导通,漏极(D)有5V输出 ...
编辑-Z AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON),适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线。 AO3400概述 30V N沟道MOSFET Vds 30V Id ...
三极管 1、什么是晶体三极管? 答:由半导体组成的具有三个电极的晶体管。结构图如下(图片来自于网络): 三极管的特点:利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 三种工作状态:放大状态、截止状态、饱和状态。 (1)、放大状态 当工作在放大状态时,假设基极电流为 IB ,将在集电极 ...
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管 ...
编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A,漏源击穿电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V,导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数 ...