IGBT功率半导体器件
IGBT功率半导体器件 IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT 作为半导体功率器件中的全控器件，由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点 ...
原文：功率器件封装失效分析及工艺优化研究
本篇是摘自佛山市蓝箭电子股份有限公司的陈逸晞同志。 封装工艺是为了提升电子设备运行的可靠性，采取的相应保护措施，即针对可能发生的力学 化学或者环境等不确定因素的攻击，利用封装技术和特殊材料对电子设备进行保护。封装技术已经广泛应用于航空航天设备 汽车 计算机以及移动通信设备等诸多领域中。但伴随着超低压 超高压 强湿热 大温差等特殊条件下电子设备运行要求的增加，加之封装器件日趋大功率应用 小尺寸化 功 ...
2021-11-03 22:40 0 1138 推荐指数：
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