原文:PVD与CVD性能比较

PVD与CVD性能比较 CVD定义: 通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 CVD技术特点: 具有淀积温度低 薄膜成分和厚度易于控制 均匀性和重复性好 台阶覆盖优良 适用范围广 设备简单等一系列优点。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜,例如掺杂或不掺杂的SiO 多晶硅 非晶硅 氮化硅 金属 钨 钼 等。 影响台阶覆盖性的关键在于气相沉积技术的 绕镀性 。 气相 ...

2021-05-18 06:05 0 4529 推荐指数:

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