MOSFET规格书参数详解(参考AOD444) * 说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件:在Vgs=0V,栅极和源极不给电压。 影响:超过的话会让MOSFET损坏。 说明:ID的漏电流。 测试条件:在Vgs=0V,在漏极和源 ...
IGBT模块规格书包含很多信息,一般会对模块的规格,技术特点,封装等做详细的描述。本文详细介绍了规格书中虚拟结温的几个参数Tvj,Tvj max 以及Tvj op 。 几个结温的意义。 Tvj 一般来讲,结温Tvj是指芯片 结 区域的温度,是与模块结壳热阻以及损耗相关的一个量。由于芯片的温度分布是不均匀的,在多芯片并联的模块中,不能准确表述某个芯片的温度,同时该温度也不能直接测量。因此,该变量被定 ...
2020-07-20 14:10 0 1535 推荐指数:
MOSFET规格书参数详解(参考AOD444) * 说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件:在Vgs=0V,栅极和源极不给电压。 影响:超过的话会让MOSFET损坏。 说明:ID的漏电流。 测试条件:在Vgs=0V,在漏极和源 ...
回到目录 通常,半导体元器件的制造商会为自己每一种型号的产品提供一个描述其参数性能的详细说明书,术语叫作datasheet,中文叫作“数据规格书”,也叫“数据手册”。下面我们以常用的1N4148二极管为例,来介绍如何阅读二极管的数据手册 ...
编辑-Z ASEMI二极管A7参数: 型号:A7二极管 最大循环峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均 ...
团队项目技术规格说明书v1.0 以下技术规格说明书的撰写是按照《构建之法》的“技术说明书”的相关内容,主要思路是用功能驱动设计 一.从功能流程中提取所需的对象: 在这个WBS图的基础上,对首先要实现的基本功能进行了如下设计分析: 外包软件开发功能描述: 外包开发的功能流程和细节 ...
项目技术规格说明书 简述 网站整体结构 数据库技术 在alpha阶段,我们使用sqlite作为数据库。在beta阶段时,我们将其移植到MySQL。 前端技术 前端框架我们打算继续沿用之前项目所采用的bootstrap框架,对页面进行完善和重构设计。之前项目中所采用的部分 ...
编辑-Z ABS210详细参数: 型号:ASEMI整流桥ABS210 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效电压(VRMS):700V 最大隔直电压(VDC):1000V ...
编辑-Z ASEMI整流桥KBP210参数: 型号:KBP210 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):10 ...
一般说明PW2312 是一个高频,同步,整流,降压,开关模式转换器内部功率 MOSFET。它提供了一个非常紧凑的解决方案,以实现 1.5A 的峰值输出电流在广泛的输入电源范围内,具有优良的负载和线路调 ...