原文:芯片内亿万的晶体管制程工艺

芯片内亿万的晶体管制程工艺 一 原理 晶体管并非是安装上去的,芯片制造其实分为沙子 晶圆,晶圆 芯片这样的过程,而在芯片制造之前,IC涉及要负责设计好芯片,然后交给晶圆代工厂。 芯片设计分为前端设计和后端设计,前端设计 也称逻辑设计 和后端设计 也称物理设计 并没有统一严格的界限,涉及到与工艺有关的设计就是后端设计。芯片设计要用专业的EDA工具。 如果我们将设计的门电路放大,白色的点就是衬底, 还 ...

2020-05-01 14:35 0 662 推荐指数:

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晶体管逻辑芯片设计微缩图形化

晶体管逻辑芯片设计微缩图形化 伴随着晶体管大小不断逼近原子的物理体积极限,传统摩尔定律下的2D微缩技术不再能同时改善芯片的性能、功率、面积成本和上市时间(即:PPACt),晶体管设计、互连微缩、图形化和设计技术协同优化(DTCO)成为横亘在逻辑微缩道路上的三座大山。逻辑芯片,电子产品中主要的处理 ...

Thu Jan 27 14:01:00 CST 2022 0 713
晶体管的工作原理

晶体管,本名:半导体三极管(三极分别为发射极、基极和集电极;其中,发射极的电流最大,基极的电流最小,发射极的电流等于基极与集电极的电流之和)。对于晶体管,我们其实并不陌生,放大器就是晶体管的一个基础应用。 要想理解晶体管的工作原理,就必须先要理解二极管的工作原理。二极管由半导体材料制作而成,下面 ...

Tue Feb 05 21:50:00 CST 2019 0 1308
简易晶体管图示仪

简易晶体管图示仪 一、 NE555时钟电路 关于555时钟电路的参数计算: (参考网站:http://www.elecfans.com/tools/555dingshiqipinlv.html) T2 (off-time) = 0.693 * R2 * C1 T ...

Thu Sep 20 08:36:00 CST 2018 0 1933
芯片制造―半导体工艺制程实用教程第六版课后答案

芯片制造――半导体工艺制程实用教程(美)Peter Van Zant(彼得・范・赞特)课后习题答案 本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术,在半导体领域享有很高的声誉; 包括半导体工艺的每个阶段: 从原材料的制备到封装、 测试和成品运输, 以及传统的和现代的工艺; 提供了详细的插 扫一扫 ...

Sun Apr 11 00:28:00 CST 2021 0 238
3.2 双极型晶体管

3.2 双极型晶体管 3.2.1 晶体管的结构和类型 基区与发射区之间的PN结称为发射结(Je) 基区与集电区之间的PN结称为集电结(Jc) 放大的外部条件:Je 正向电压(正偏),Jc 反向电压(反偏) 集电区:接收载流子 发射区:发射载流子 基区:控制载流子 双极型晶体管 ...

Mon Oct 18 05:48:00 CST 2021 0 1187
FinFET与芯片制程

FinFET与芯片制程 芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。 在 5nm、3nm 以及更小节点,半导体行业还面临着巨大 ...

Sat Jul 17 14:24:00 CST 2021 0 254
晶体管单管大电路三种基本接法比较

  在电子电路中,放大的对象是变化量,放大的本质是在输入信号的作用下,通过有源元件(晶体管或场效应管)对直流电源的能量进行控制和转换,使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法,场效应管有共源、共漏接法(与晶体管放大电路共射、共集 ...

Mon Mar 10 06:43:00 CST 2014 2 3996
ALD和CVD晶体管薄膜技术

ALD和CVD晶体管薄膜技术 现代微处理器内的晶体管非常微小,晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度,光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余。ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术。 ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成 ...

Sun May 16 16:29:00 CST 2021 0 1854
 
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