开关VoLTE流程分析(一)
开关按钮位置： 设置--> 更多--> 移动网络--> 增强型4G LTE模式 控件初始化addEnhanced4GLteSwitchPreference，该设置开关使用了SwitchPreference控件，addEnhanced4GLteSwitchPreference ...
原文：分析mosfet的开关速度。
mosfet的开关速度，有栅极上的电压冲放速度有关。有栅极输入电阻和Cgd和Cgs构成的RC时间常数决定。其中其决定性作用的是Cgd。 单片机的IO内阻一般几十欧姆，而一般的栅极驱动器一般只有几个欧姆。提升驱动电流和减小栅极电阻是一回事。mosfet一般栅极寄生电阻就有 欧姆。 快速开通mosfet会给电路带来毛刺干扰，快速关断没有问题。可以在栅极添加合适栅极电阻，减小开关速度，同时在电阻上反并一 ...
2020-04-16 17:11 0 864 推荐指数：
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