一、PVT (Process Voltage Temperature) 电压、温度 和 工艺情况等条件组合,形成 PVT(Process、Voltage、Temperature)条件,用于性能分析(时序分析)。 Voltage & Temperature ...
IC 四种常见失效机理如下: EM electron migration,电子迁移TDDB time dependent dielectric breakdown,与时间相关电介质击穿 经时击穿NBTI negative bias temperature instability,负偏置温度不稳定性HCI hot carrier injection,热载流子注入其中,EM 和 TDDB 会导致随机的 ...
2020-02-05 11:53 0 1778 推荐指数:
一、PVT (Process Voltage Temperature) 电压、温度 和 工艺情况等条件组合,形成 PVT(Process、Voltage、Temperature)条件,用于性能分析(时序分析)。 Voltage & Temperature ...
1、 最能描述集成电路工艺技术水平的技术指标是(B) A、晶片直径 B、特征尺寸 C、芯片面积 D、封装 2、 相同工艺条件下,下列哪种逻辑的组合逻辑延迟最长(A) A、2输入异或门 B、2输入与非门 C、2输入或门 D、1输入反相器 3、对于90nm制程芯片,合法的电压 ...
换工艺的时候数字IC设计需要哪些工艺库: Synopsys文件夹(DC和ICC使用) Synopsys文件夹中含有.lib 和.db文件是此工艺的时间模型 a) DC综合第一部分的目标库和链接库 b) 内容阐述: Logiclibrary 是半导体工艺 ...
最近工作涉及到换工艺的事情,之前建好的环境需要对应替换。两家给到的文件顺序大致相同但并不完全一致,作为一个小白,生怕搞错了对应文件,承担责任。所以在学会了一些皮毛之后 ,特地来总结和大家分享,欢迎查缺补漏。 同行交友加微信:814477611 Synopsys文件夹(DC和ICC使用 ...
陶瓷电容 MLCC 陶瓷电容的结构、工艺、失效模式 1 结构 MLCC呈长方体结构,由两边端子电极和内部电极组成。 1.1 端子电极结构 底层 铜Cu或Ag/AgPd镀层用于连接, AgPd含量高可以防硫化 ...
CMOS主要的功能为记录主板上面的重要参数,包括系统时间、CPU电压与频率、各项设备的I/O位址,因此主板上面才有电池。 ...
本篇是摘自佛山市蓝箭电子股份有限公司的陈逸晞同志。 封装工艺是为了提升电子设备运行的可靠性,采取的相应保护措施,即针对可能发生的力学、化学或者环境等不确定因素的攻击,利用封装技术和特殊材料对电子设备进行保护。封装技术已经广泛应用于航空航天设备、汽车、计算机以及移动通信设备等诸多领域 ...
目前虽然号称拥有或将要研发7nm工艺的有多家工艺厂商,但是具有实际流片能力的可能只有TSMC和三星。随着GlobalFoundries最近宣布放弃7nm的进一步研发,以及尽管Intel的10nm和这几家的7nm差不多一个水准,但是要跳票到2019年,因此短期内应该就是双雄争霸的局面。 玩家 ...