原文:静态功耗产生的原因

从 世纪 年代采用CMOS电路开始,电路设计者们便体会到了这一技术的优势,但与先进 技术伴随而来的是日益严重的功耗问题。在早期的电路设计中,静态功耗并不是考虑的重点,这是 因为在这一阶段,CMOS电路的功率消耗很大程度上取决于电路的开关活动,当电路翻转活动停止 时,静态功耗几乎可以忽略。 随着半导体工艺的进步,线宽进一步减小,此时供电电压也必须随之减小以适应栅氧化层所能 承受的电场强度。如图 所示 ...

2019-12-30 21:10 0 1560 推荐指数:

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板子功耗高的原因有哪些

功耗蓝牙应用对功耗要求越低越好,功耗越低电池续航时间就越长,用户体验就越好。当你发现你板子功耗偏高时,建议按照如下步骤进行自检: 1) 确认理论功耗值。BLE功耗跟广播间隔或者连接间隔是成正比关系的,所以20ms连接间隔下的功耗几乎是1s状态下的50倍!,单纯地问“1mA功耗高不高 ...

Mon Jul 23 03:03:00 CST 2018 3 2982
静态功耗 计算

大概在遥远的90nm之前,leakage power在library里确实是被描述成一个常值的。但从90nm开始,为了更加精确,library里的leakage power不再是个常值 ...

Mon Aug 26 07:28:00 CST 2019 0 574
什么是死锁?死锁产生原因

什么是死锁?   死锁是指两个或两个以上的进程在执行过程中,由于竞争资源或者由于彼此通信而造成的一种阻塞的现象,若无外力作用,它们都将无法推进下去。   集合中的每一个进程都在等待只能由本集合中的 ...

Wed Nov 20 19:55:00 CST 2019 0 2104
产生过拟合的原因

1 过拟合的概念? 首先我们来解释一下过拟合的概念? 过拟合就是训练出来的模型在训练集上表现很好,但是在测试集上表现较差的一种现象!下图给出例子: 我们将上图第三个模型解释为出现了过拟合现象 ...

Fri Aug 10 18:49:00 CST 2018 0 6571
过拟合产生原因(Root of Overfitting)

之前在《过拟合和欠拟合(Over fitting & Under fitting)》一文中简要地介绍了过拟合现象,现在来详细地分析一下过拟合产生原因以及相应的解决办法。 过拟合产生原因: 第一个原因就是用于训练的数据量太少。这个很好理解,因为理想的训练数据是从所有数据中抽取 ...

Fri Jun 28 03:53:00 CST 2019 0 434
涡流效应产生原因及分析

  最近学习了涡流相关知识。此文用于总结涡流相关理论,欢迎大家指导。   导体中本身的交流电流或邻近导体的交流电流感生出磁场,这些磁场感生出涡流,而涡流会产生与原磁场方向相反的磁场。涡流会阻碍磁场侵入导体,并产生欧姆损耗,将电磁能转化为热能。   涡流来源:时变磁场感生   涡流特征 ...

Tue Jul 07 16:35:00 CST 2020 0 951
死锁的产生原因和避免死锁

一、死锁产生原因: 1)、因为系统的资源不足,不能满足进程的资源请求,会导致多个线程同时争夺一个资源 2)、进程运行推进的顺序不合适 3)、资源分配不当,有的进程资源分配太少,会因为争夺资源而陷入死锁 二、死锁产生的场景: 1)、多个线程:彼此申请对方资源不足而导致的死锁,A申请B的锁 ...

Thu Mar 18 19:09:00 CST 2021 0 414
 
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