从20世纪80年代采用CMOS电路开始,电路设计者们便体会到了这一技术的优势,但与先进 技术伴随而来的是日益严重的功耗问题。在早期的电路设计中,静态功耗并不是考虑的重点,这是 因为在这一阶段,CMOS电路的功率消耗很大程度上取决于电路的开关活动,当电路翻转活动停止 时,静态功耗几乎可以忽略 ...
大概在遥远的 nm之前,leakage power在library里确实是被描述成一个常值的。但从 nm开始,为了更加精确,library里的leakage power不再是个常值了,而是被模拟成一个输入状态的函数。所以基础还是library,在一个library里跟leakage相关的变量大致有: library my lib leakage power unit: nW default le ...
2019-08-25 23:28 0 574 推荐指数:
从20世纪80年代采用CMOS电路开始,电路设计者们便体会到了这一技术的优势,但与先进 技术伴随而来的是日益严重的功耗问题。在早期的电路设计中,静态功耗并不是考虑的重点,这是 因为在这一阶段,CMOS电路的功率消耗很大程度上取决于电路的开关活动,当电路翻转活动停止 时,静态功耗几乎可以忽略 ...
低压差线性稳压器功耗主要是输入电压,输出电压以及输出电流的函数。下列方程式可用来计算最恶劣情况下的功耗: PD=(VINMAX- VOUTMIN )ILMAX。其中:PD = 最恶劣情况下的实际功耗,VINMAX = VIN 脚上的最大电压,VOUTMIN = 稳压器输出的最小电压,ILMAX ...
CMOS管功耗 = 动态功耗 + 静态功耗 动态功耗有两种表述,两种表述的区别之处在于:把对管子内部电容充放电消耗的功耗归于谁,第一种表述常见于理论分析,第二种表述常见于EDA工具功耗计算。 第一种表示: 动态功耗 = 开关功耗 + 短路功耗 开关功耗:指 ...
低压差线性稳压器功耗主要是输入电压,输出电压以及输出电流的函数。下列方程式可用来计算最恶劣情况下的功耗: PD=(VINMAX- VOUTMIN )ILMAX。其中:PD = 最恶劣情况下的实际功耗,VINMAX = VIN 脚上的最大电压,VOUTMIN = 稳压器输出的最小电压 ...
基于Android 6.0的源码剖析。 Power_profile.xml文件demo: View Code 一、 概述 Android系统中的耗电统 ...
芯片的整体功耗都有哪些组成部分呢?最根本的组成部分有两个,即静态功耗和动态功耗。 1. 静态功耗(Static Power),又称漏电流功耗(Leakage Power)。其原理请参见下图: 上图中红色箭头表明了在通电状态下PMOS内主要的泄露电流及其走向,意即: 泄漏 ...
本文就开始讨论功耗的调试步骤和方法。 本文主要的内容如下: 一、明确调试的目标 二、明确调试的内容 三、参照电路框图找出我们需要检测的输出 四、找出或引出需测试的输出 五、功耗测试的步骤流程图 一、明确调试的目标 明确调试的目标,即在满足当前的需求情况下,尽最大的可能去降低 ...
在传统的概念中,芯片工艺的改进将会带来性能的提高,成本的降低。同时,由于芯片内核电压的降低,其所消耗的功耗也随之降低,这一点到0.13um时代也是正确的。 但是在工艺进入90nm时代,甚至于以后的40nm或更小的工艺,出现了一点反常,芯片功耗将显著提高。 由于40nm工艺的内核 ...