SOCV/POCV 开篇 （1）
1.功能：模拟工艺偏差对芯片性能的影响 2. 40nm之前 flat derate模型可以基本覆盖大部分情况 3.AOCV （Adance OCV) 考虑distance 和depth的影响。 ...
原文：论STA | POCV/SOCV 对lib 的要求 （4）
在芯片制造过程中的工艺偏差由global variation 和local variation 两部分组成。 在集成电路设计实现中，global variation 用PVT 跟 RC corner 来模拟 local variation 用 OCV AOCV SOCV 来模拟。 在 nm 之前OCV 被广泛采用，但是OCV 对同一条path 上的所有cell 都设同一个derate 值，如果设 ...
2019-08-22 23:38 0 384 推荐指数：
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