原文:MOSFET规格书参数详解

MOSFET规格书参数详解 参考AOD 说明:MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件:在Vgs V,栅极和源极不给电压。 影响:超过的话会让MOSFET损坏。 说明:ID的漏电流。 测试条件:在Vgs V,在漏极和源极两端给 V的电压。 影响:漏电流越大功耗越大。 说明:栅极漏电流 测试条件:在Vgs V,在漏极和源极两端不给电压。 影响: 说明:开启电压 测试条件:在Vgs Vds,在漏极和 ...

2019-01-04 12:49 0 1347 推荐指数:

查看详情

技术 | IGBT规格书详解-虚拟结温(Tvj)

IGBT模块规格书包含很多信息,一般会对模块的规格,技术特点,封装等做详细的描述。本文详细介绍了规格书中虚拟结温的几个参数Tvj,Tvj(max)以及Tvj(op)。 几个结温的意义。 Tvj 一般来讲,结温Tvj是指芯片“结”区域的温度,是与模块结壳热阻 ...

Mon Jul 20 22:10:00 CST 2020 0 1535
ASEMI二极管A7参数,A7二极管规格书,A7二极管的封装

编辑-Z ASEMI二极管A7参数: 型号:A7二极管 最大循环峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流电流(I(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 最大正向电压(VF ...

Sat Jan 15 00:23:00 CST 2022 0 744
ASEMI整流桥ABS210参数,ABS210规格书,ABS210特征

编辑-Z ABS210详细参数: 型号:ASEMI整流桥ABS210 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效电压(VRMS):700V 最大隔直电压(VDC):1000V 最大平均正向整流电流(IF(AV)):2A 峰值正向浪涌电流(IFSM):60A 最大瞬时正向 ...

Sat Jan 08 00:31:00 CST 2022 0 904
ASEMI整流桥KBP210参数,KBP210规格书,KBP210尺寸

编辑-Z ASEMI整流桥KBP210参数: 型号:KBP210 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):2.0A 峰值正向浪涌电流(IFSM ...

Tue Feb 15 00:59:00 CST 2022 0 896
初级模拟电路:1-6 二极管数据规格书

回到目录 通常,半导体元器件的制造商会为自己每一种型号的产品提供一个描述其参数性能的详细说明,术语叫作datasheet,中文叫作“数据规格书”,也叫“数据手册”。下面我们以常用的1N4148二极管为例,来介绍如何阅读二极管的数据手册 ...

Tue May 21 00:56:00 CST 2019 0 449
ASEMI整流桥ABS10参数,ABS10规格书,整流桥abs10资料

编辑-Z ASEMI整流桥ABS10参数: 型号:ABS10 最大循环峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向整流电流(I(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 最大瞬时正向电压 ...

Mon Jan 17 22:22:00 CST 2022 0 777
ASEMI整流桥MB10S参数,MB10S封装,MB10S规格书

编辑-Z ASEMI整流桥MB10S参数: 型号:MB10S 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向输出整流电流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 每个元件 ...

Fri Jan 21 00:14:00 CST 2022 0 725
 
粤ICP备18138465号  © 2018-2025 CODEPRJ.COM