目前常用的晶体管图示仪，主要是测量，显示晶体管的静态（低频）特性曲线，有些图示仪可以将多个管子的特性曲线叠加显示，通过观察，了解不同管子特性的相似性。我们使用这种图示仪，除了大致了解晶体管的静态特性外，主要是用于配对。但用只能显示特性曲线的图示仪配对晶体管，效率是非常低的。下图是8个同型号晶体管 ...

晶体管，本名：半导体三极管（三极分别为发射极、基极和集电极；其中，发射极的电流最大，基极的电流最小，发射极的电流等于基极与集电极的电流之和）。对于晶体管，我们其实并不陌生，放大器就是晶体管的一个基础应用。 要想理解晶体管的工作原理，就必须先要理解二极管的工作原理。二极管由半导体材料制作而成，下面 ...

3.2 双极型晶体管 3.2.1 晶体管的结构和类型 基区与发射区之间的PN结称为发射结(Je) 基区与集电区之间的PN结称为集电结(Jc) 放大的外部条件：Je 正向电压（正偏），Jc 反向电压（反偏） 集电区：接收载流子 发射区：发射载流子 基区：控制载流子 双极型晶体管 ...

　　在电子电路中，放大的对象是变化量，放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对直流电源的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法，场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集 ...

ALD和CVD晶体管薄膜技术 现代微处理器内的晶体管非常微小，晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度，光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余。ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术。 ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料，一次沉积单层薄膜几分之一的厚度，以尽可能生成 ...

芯片内亿万的晶体管制程工艺 一．原理 晶体管并非是安装上去的，芯片制造其实分为沙子-晶圆，晶圆-芯片这样的过程，而在芯片制造之前，IC涉及要负责设计好芯片，然后交给晶圆代工厂。 芯片设计分为前端设计和后端设计，前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计）并没有统一严格的界限，涉及到 ...

MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题，对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH SMOOTH=1 创建器件结构 ...

回到目录 1. 四种BJT模型概述 对BJT晶体管建模的基本思路就是，用电路原理中的五大基本元件（电阻、电容、电感、电源、受控源）构建一个电路，使其在一定工作条件下能等效非线性半导体器件的实际工作。一旦确定了交流等效电路，电路中的BJT就可以用这个等效电路来替代，然后用 ...