据说Flash的擦写次数是有限的,所以在调试的时候擦来擦去不好,看到boot0、boot1可以配置从SRam启动,就查了相关资料,试了一下,ok了。记录一下,免得以后又忘了。跟flash调试部分相同的就不再描述了,重点在于SRam调试的设置部分,大部分以图片形式 ...
最近将两年前买的STM F 最小系统板拿出来准备学习,安装完MDK 后写了一个点亮LED程序,发现无法下载。查了下购买评论,原来这种板子发货时已经锁定了flash。鼓捣了 天,最后采取的办法是通过sram启动方式,来运行一个flash解锁程序,程序运行后就可以将板子恢复。在此将该过程记录下来。 一 系统板外形是这种。 二 硬件跳线 将两个黄色跳线帽全部插在 端,即BOOT BOO 全部接 。 三 ...
2018-08-12 14:53 0 3961 推荐指数:
据说Flash的擦写次数是有限的,所以在调试的时候擦来擦去不好,看到boot0、boot1可以配置从SRam启动,就查了相关资料,试了一下,ok了。记录一下,免得以后又忘了。跟flash调试部分相同的就不再描述了,重点在于SRam调试的设置部分,大部分以图片形式 ...
在学习STM32的时候,由于烧FLASH的所造成的时间会比较慢,而在SRAM中调试的时间会比FLASH快很多,再加上FLASH的时候会经常擦除芯片,会对芯片的寿命造成一定的影响, 其实我本人觉得在学习STM32的路途中,没有必要也大可不必使用烧FLASH的路径来对芯片进行实验性的学习 ...
转载自: 外部SRAM实验,让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样http://www.openedv.com/thread-47895-1-1.html(出处: OpenEdv-开源电子网) 前几天看到论坛有人在问这个问题,我特意去做了这个实验,这样用外部SRAM就跟用内部SRAM ...
字节控制功能。支持高/低字节控制。 看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置。 这里就做一个概括性的讲解。步骤如下: 1)使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC ...
这两天调试STM32F103外扩SRAM,将调试过程中遇到的问题记录下,SRAM的规格是256K*16的异步SRAM,地址总线为18,数据线宽度为16. 在调试过程中遇到一些小问题,希望读者能少走些弯路。 先看一下FSMC内存映射图: 由图可知,stm32的FSMC模块分为四个bank,每个 ...
stm32专题三十八:在SRAM中调试代码 1、启动文件简介 启动文件由汇编编写,是系统上电复位后第一个执行的程序。主要做了以下工作: (1)初始化堆栈指针 MSP=_initial_sp (2)初始化 PC 指针=Reset_Handler (3)初始化 ...
源:外部SRAM实验,让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样 前几天看到开源电子论坛(openedv.com)有人在问这个问题,我特意去做了这个实验,这样用外部SRAM就跟用内部SRAM一样,不用自己去申请内存,也不用考虑什么内存地址,一切让编译器自己去解决。 废话不多 ...
近期项目中使用到了 IS64LV25616AL 的芯片,因此我要总结一下。IS64LV25616AL这个是256*16的的,数据格式是16位,所以一共有512KB的空间,比较大了,stm32F103zet6才64KB内部SRAM。可以使能byte enable,进行8位的访问,只要设置好了后 ...