原文:NandFlash读写

.NandFlash分类 根据物理结构上的区别,NandFlash主要分为如下两类: SLC Single Level Cell : 单层式存储 MLC Multi Level Cell : 多层式存储SLC在存储格上只存一位数据,而MLC则存放两位数据。 .MLC与SLC对比 价格:由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC.访问速度:SLC的访问速度一般要比ML ...

2016-10-28 00:29 0 4249 推荐指数:

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(转)Nandflash读写

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Tue Aug 21 02:32:00 CST 2018 0 1803
UBOOT把文件写入 NandFlash

如果把一个传到内存中的文件写入到 Nand Flash 中, 如:新的 uboot.bin, zImage(内核), rootfs 等, 如果做呢?我们可以用 Nand Flash 命令来完成. 但是 ...

Sat Jun 29 17:01:00 CST 2019 0 407
uboot在nandflash和norflash是如何运行的

转自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 电子产品如果没有了电,就跟废品没什么区别,是电赋予了他们生命,然而程序则是他们的灵魂。 小时 ...

Mon May 30 06:18:00 CST 2016 0 7000
nandflash操作详解

1.nandflash就是嵌入式系统的硬盘2.分类(1)MLC:存储单元格存储两位,慢,偏移,寿命短,容量大(2)SLC:存储一位。快,寿命长,容量小,昂贵3访问;(1)独立编址,有专用的控制器,控制器里有相应的寄存器,先送地址,然后命令,最后数据(2)地址组成:行地址(页编号),列地址(在页中 ...

Thu Mar 17 22:32:00 CST 2016 0 2928
NandFlash ECC 校验

ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个 ...

Wed Oct 21 02:09:00 CST 2015 0 2377
NorFlash和NandFlash区别

Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位 ...

Fri Jul 10 00:22:00 CST 2020 0 531
(转+整理)Nandflash存储

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Tue Aug 21 01:30:00 CST 2018 0 2548
NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别

快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存 ...

Wed Nov 08 23:29:00 CST 2017 0 1731
 
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