引自:http://www.ednchina.com/ART_56059_18_20010_OA_862fa672.HTM SRAM使用的是ISSI的61LV5128,8位宽,19条地址线。FPGA内部有一个地址产生计数单元,因此数据读操作时输出管脚的时序起点就是这些地址产生单元。因为希望 ...
sram的型号:ISSI IS LV TL 以上是数据手册上的。 对sram的认识:SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM Dynamic Random Access Memory 每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积 ...
2014-11-13 20:42 0 7445 推荐指数:
引自:http://www.ednchina.com/ART_56059_18_20010_OA_862fa672.HTM SRAM使用的是ISSI的61LV5128,8位宽,19条地址线。FPGA内部有一个地址产生计数单元,因此数据读操作时输出管脚的时序起点就是这些地址产生单元。因为希望 ...
一、 要保证正确地读/写,必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合。一般存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图。 Intel 2114芯片的读、写周期时序如图所示。 二、 读周期 读操作时,必须保证片选信号为低电平,读写信号为高电平。tRC (读周期时间):指对芯片连续两次读操作 ...
总结:首先栈栏函数的作用,是执行到当前位置,前面的全部任务都要等待,等待block内部任务执行完成后,继续执行其他任务。(面试时候的问题,用锁不知道能不能实现) ...
1、Hbase为什么写比读快 (1)根本原因是hbase的存储引擎用的是LSM树,是一种面向磁盘的数据结构: Hbase底层的存储引擎为LSM-Tree(Log-Structured Merge-Tree)。LSM核心思想的核心就是放弃部分读能力,换取写入的最大化能力。LSM Tree ...
这篇最早是 2021 年 3 月写的,最近又拿出来复习一遍,也补充了一些新的内容。上一篇博客发表过后已经 3 个月没有发表新的博客,就把这篇拿出来了。内容没有完全梳理完毕,算是笔记。先发出来,后续再逐渐完善。 InfluxDB 是开源的时序数据库,采用列式存储。原先有开源集群版本,但在 ...
...
不能并发写的原因 元素丢失 // TODO 破坏map的结构 // TODO sync.Map相比RWLock在哪些点减少了加锁的粒度,应该就是上述2点 // TODO sync.Map的原理应该就是减小了锁的粒度, 如果写操作既不会造成元素丢失,也不会破坏map结构,就不 ...
//准备一下 while(Serial.available()>0) WifiSerial.write(Serial.read()); ...