原文:【转】NiosII中SDRAM相移计算

SDRAM和Nios II连接的典型电路框图如下图所示。SDRAM和System使用同一个PLL输出时钟,可以保证System Clock和SDRAM Clock的相对抖动比较小。外部晶振的时钟送入PLL,然后由PLL产生两个同频的时钟一个供给Nios II系统使用,另一个供给SDRAM使用。 把PLL设置成Zero Buffer Mode可以比较方便地控制SDRAM Clock和输入时钟Ext ...

2013-03-13 13:13 0 3545 推荐指数:

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SDRAM的一些疑惑点

1.Precharge与Refresh的区别? plj:两者都是对存储单元的电容进行充电、回写。但差异在于: Precharge是对(一个或所有Bank)的所有工作行(active row)操作,并且是随机的,被操作工作行的地址在各Bank不一相同。   Refresh是对所有 ...

Fri Apr 20 21:56:00 CST 2012 1 3470
()Cortex-M3 (NXP LPC1788)之SDRAM操作

网上看到了一些关于1788 SDRAM的调试代码,基本上都一样,本人在调试1788 SDRAM过程,遇到了一些大麻烦,本人使用的的SDRAM芯片为MT48LC16M162. 本人遇到的问题如下: 1: 1788芯片硬件仿真初期,调试SDRAM寄存器配置错误,导致1788芯片无法进入 ...

Thu Sep 27 03:40:00 CST 2012 1 8805
[]卡方分箱卡方值的计算

关于卡方分箱,网上有很多文章,但几乎没有文章介绍分箱时相邻区间卡方值计算的方法,而本文在介绍卡方分箱的同时,重点介绍了相邻区间卡方值的计算方法。通过本文,希望大家能对卡方分箱有清楚透彻的认识。 分箱是什么 分箱是将连续的变量离散化,将多状态的离散变量合并成少状态 ...

Sun Aug 25 01:53:00 CST 2019 0 608
SDRAM(1):基本介绍

一、存储器类型   1、RAM,随机存取存储器(Random Access Memory),也叫主存, 是与 CPU 直接交换数据的内部存储器。可按地址进行读写,掉电后数据会丢失。 ...

Sun Jun 09 05:26:00 CST 2019 0 1480
SDRAM小结

一、读写操作: (一)块使能 相应的块和行地址一定要通过ACT激活,在ACT命令和下一个读写命令必须有tRCD间隔。 (二)读操作 读命令设置之后,输出缓冲器变成了low_Z。SDRAM能执行组读出 ...

Thu Mar 29 05:06:00 CST 2012 0 4231
负数在计算机中如何表示?(

问: 负数在计算机中如何表示? 举例来说,+8在计算机中表示为二进制的1000,那么-8怎么表示呢? 很容易想到,可以将一个二进制位(bit)专门规定为符号位,它等于0时就表示正数,等于1时就表示负数。比如,在8位机,规定每个字节的最高位为符号位 ...

Mon Sep 11 18:39:00 CST 2017 0 1334
 
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