在学习STM32的时候,由于烧FLASH的所造成的时间会比较慢,而在SRAM中调试的时间会比FLASH快很多,再加上FLASH的时候会经常擦除芯片,会对芯片的寿命造成一定的影响, 其实我本人觉得在学习STM32的路途中,没有必要也大可不必使用烧FLASH的路径来对芯片进行实验性的学习 ...
据说Flash的擦写次数是有限的,所以在调试的时候擦来擦去不好,看到boot boot 可以配置从SRam启动,就查了相关资料,试了一下,ok了。记录一下,免得以后又忘了。跟flash调试部分相同的就不再描述了,重点在于SRam调试的设置部分,大部分以图片形式。 Dbg RAM.ini D: Keil ARM Boards Keil MCBSTM Blinky下面有一个,其实MCBSTM 目录下 ...
2012-09-11 21:41 1 5223 推荐指数:
在学习STM32的时候,由于烧FLASH的所造成的时间会比较慢,而在SRAM中调试的时间会比FLASH快很多,再加上FLASH的时候会经常擦除芯片,会对芯片的寿命造成一定的影响, 其实我本人觉得在学习STM32的路途中,没有必要也大可不必使用烧FLASH的路径来对芯片进行实验性的学习 ...
转载自: 外部SRAM实验,让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样http://www.openedv.com/thread-47895-1-1.html(出处: OpenEdv-开源电子网) 前几天看到论坛有人在问这个问题,我特意去做了这个实验,这样用外部SRAM就跟用内部SRAM ...
这两天调试STM32F103外扩SRAM,将调试过程中遇到的问题记录下,SRAM的规格是256K*16的异步SRAM,地址总线为18,数据线宽度为16. 在调试过程中遇到一些小问题,希望读者能少走些弯路。 先看一下FSMC内存映射图: 由图可知,stm32的FSMC模块分为四个bank,每个 ...
最近将两年前买的STM32F103最小系统板拿出来准备学习,安装完MDK5后写了一个点亮LED程序,发现无法下载。查了下购买评论,原来这种板子发货时已经锁定了flash。鼓捣了2、3天,最后采取的办法是通过sram启动方式,来运行一个flash解锁程序,程序运行后就可以将板子恢复。在此将该 ...
字节控制功能。支持高/低字节控制。 看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置。 这里就做一个概括性的讲解。步骤如下: 1)使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC ...
源:外部SRAM实验,让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样 前几天看到开源电子论坛(openedv.com)有人在问这个问题,我特意去做了这个实验,这样用外部SRAM就跟用内部SRAM一样,不用自己去申请内存,也不用考虑什么内存地址,一切让编译器自己去解决。 废话不多 ...
近期项目中使用到了 IS64LV25616AL 的芯片,因此我要总结一下。IS64LV25616AL这个是256*16的的,数据格式是16位,所以一共有512KB的空间,比较大了,stm32F103zet6才64KB内部SRAM。可以使能byte enable,进行8位的访问,只要设置好了后 ...
1、定义一个数组比如value[],让数组的首地址指向特定的SRAM地址,比如0x20000100 1)__align(8) uint8_t value[20] __attribute__((at(0x20000100))); MDK中定义 2)int value ...