一、场效应管介绍 场效应管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管,英文全称是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全称大写首字母,简称MOS或MOSFET。它是电压控制电流的元器件(即利用栅极电压来控制漏 ...
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般 V V就可以了。 但是,场效应管分为增强型 常开型 和耗尽型 常闭型 ,增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。 开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态, 截止, 线性放大, 饱和 基极电流继续增加而集电 ...
2012-02-10 16:13 0 11425 推荐指数:
一、场效应管介绍 场效应管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管,英文全称是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全称大写首字母,简称MOS或MOSFET。它是电压控制电流的元器件(即利用栅极电压来控制漏 ...
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。 ● 主要有两种类型 结型场效应管(junction FET,简称JFET) 金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称 ...
1.4 场效应管(FET) 1.4.2 绝缘栅型场效应管(MOS管) 一、N沟道增强型MOS管 1、结构 g栅极 s源极 d漏极 2、工作原理 习惯上把和B连在一起的叫做源极(s) 若g不动,ds间加电压则无电流,因为两个背靠背的PN结永远有一个反偏,只能测到晶体管的漏电 ...
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...
产生电流 IC ,IC = β*IB。那么发射极电流 IE = (1+β)IB。 条件:发射结正偏, ...
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管 ...
编辑-Z AO3401在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。AO3401的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3401的栅源电压(VGS)为±12V。AO3401的电性参数是:持续漏极电流(ID ...
1、对于NPN型三极管来说,其功能是用基极B极小的电流去引出集电极C巨大的电流,Ibe电流大小由 Ib基极电流决定。 2、三极管相当于两个二极管组成,所以只要PN结压差大于0.7V,有电流有就导通了 3、NPN型: 截止态:Ube<0.7V 放大态:Ube>0.7V,Uc> ...