原文:MOS管(场效应管)导通条件

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般 V V就可以了。 但是,场效应管分为增强型 常开型 和耗尽型 常闭型 ,增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。 开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态, 截止, 线性放大, 饱和 基极电流继续增加而集电 ...

2012-02-10 16:13 0 11425 推荐指数:

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场效应管

一、场效应管介绍 场效应管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管,英文全称是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全称大写首字母,简称MOS或MOSFET。它是电压控制电流的元器件(即利用栅极电压来控制漏 ...

Tue Aug 18 04:40:00 CST 2020 0 540
场效应管知识

  场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。   ● 主要有两种类型     结型场效应管(junction FET,简称JFET)     金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称 ...

Tue Mar 15 04:40:00 CST 2022 0 896
1.4场效应管

1.4 场效应管(FET) 1.4.2 绝缘栅型场效应管MOS管) 一、N沟道增强型MOS管 1、结构 g栅极 s源极 d漏极 2、工作原理 习惯上把和B连在一起的叫做源极(s) 若g不动,ds间加电压则无电流,因为两个背靠背的PN结永远有一个反偏,只能测到晶体管的漏电 ...

Sun Aug 16 03:11:00 CST 2020 0 499
MOS管25N120参数,ASEMI场效应管25N120应用

编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数 ...

Sun Dec 19 00:26:00 CST 2021 0 953
晶体三极管和场效应管

产生电流 IC ,IC = β*IB。那么发射极电流 IE = (1+β)IB。 条件:发射结正偏, ...

Sun Oct 24 01:38:00 CST 2021 0 191
AO3401-ASEMI场效应管AO3401

编辑-Z AO3401在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。AO3401的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3401的栅源电压(VGS)为±12V。AO3401的电性参数是:持续漏极电流(ID ...

Fri Dec 24 00:44:00 CST 2021 0 985
三极管通条件

1、对于NPN型三极管来说,其功能是用基极B极小的电流去引出集电极C巨大的电流,Ibe电流大小由 Ib基极电流决定。 2、三极管相当于两个二极管组成,所以只要PN结压差大于0.7V,有电流有就通了 3、NPN型: 截止态:Ube<0.7V 放大态:Ube>0.7V,Uc> ...

Fri Jun 08 01:18:00 CST 2018 0 1473
 
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